CCMTM1000技术平台

  • 概述

最大化Si和SiC

快速增长的HEVs、PHEVs和BEVs编程中,Danfos开发出电模块技术平台DCMTM1000用于牵引应用

silcon和silconcide是电模块的主要成本驱动器,DCMTM1000平台旨在通过合并我们获专利技术减少半导体表面

DCMTM1000福利

可定制到您的确切需求

组合取胜技术提高性能

最大化Si和SiC

可缩放电压类

CCMTM1000电模块技术平台

CCMTM1000技术平台手册

FAQsDCMTM1000

第一,DCMTM1000指包尺寸提供足迹组装千毫米2半导体区

第二,当前评分在很大程度上取决于应用边界条件,如冷却参数和DC链路电压DCMTM1000当前评分考虑客户端的名义运算点

调整芯片内容和DBC基材中,我们能够提供DCMTM1000包内数类电源用户可使用外维相同的电模块转动输出电量不同而无需重设计DCMTM1000(750V)和DCMTM1000X(1200V)后缀X表示宽通程和爬行距离应用达1000VDC链路电压DCMTM1000和DCMTM1000X均能使用硅固化MOSFETs

DCMTM技术平台表示所有类型汽车合格半导体都可安放400V和800V驱动反转器,典型SiIGBTs和SiCMOSFETs可组装有可能使用高级联结和联通技术,如DBBZ和铜线保证金或铜带保证金

Danfos有独特的商业模式,主要支柱之一是芯片依赖性表示我们自由选择半导体当然,即使设计为同级电源,不同制造厂家的半导体在例如不同方面也有差异。内部门阻塞器、门电或甚至故障电压对许多供应商而言,这可能挑战反向设计

并完全支持客户设计转置机和驱动盘时改变偏向半导体制造商或需要第二源法低模块误入7nH允许使用各种分解电压的不同半导体

模块安装到冷却器上,使用绑定括号直接切入冷却器括号直接接触基板顶部可用区域,见图2可用不同概念对贴近每半桥指令的密封垫施加足够的压力

dfos提出概念 或双M4螺丝或单片M5螺丝高级设计使用铝冷却器时,螺旋总数可减为4次,而在典型6-in-1模块设计中可减为8次

冷却概念dCMTM平台使用有专利的SowerPower+3D冷却技术电模块底板有色通道引导冷却器并产生强波效应冲刷边界层,从而实现最大冷却效率微量流微小降压主要受冷柜内插件设计 和跨结构基板旁路最终热抗波与选定电源类相关,即硅面积和基材客户设计冷却器浴缸 根据界面 需要DCMTM1000电源模块

Danfos可提供所有必备图纸和参考设计

早期开发回转器时,自定义者需要全套材料设计并评估电模块运行期间性能Danfos提供数据表、模块CAD文件、图纸,包括冷却器接口和详细应用注解快速易测试使用机包括DC链路电容机、驱动盘冷却机,提供直接测试DCMTM1000模块的可能性