DCM™1000电源模块技术平台

首先，DCM™1000是一种封装尺寸，可用于组装1000mm²的半导体区域。

第二，电流额定值很大程度上取决于应用的边界条件，如冷却参数和直流链路电压。DCM™1000的当前额定值考虑客户方的标称操作点。

通过调整芯片内容和DBC衬底材料，我们能够在DCM™1000包中提供几种功率级别。这使得客户可以在不需要重新设计的情况下，为具有不同输出功率的牵引逆变器使用具有相同外形尺寸的电源模块。这说明了DCM™1000 (750V)和DCM™1000X (1200V)。后缀“X”表示扩展间隙和爬电距离的应用程序高达1000V直流链接电压。然而，DCM™1000和DCM™1000X都可以利用碳化硅mosfet。

DCM™是一个技术平台，意味着所有类型的汽车合格半导体都可以封装。对于400V和800V驱动串逆变器，通常可以组装Si igbt和SiC mosfet。可以使用先进的键合和连接技术，如DBB®与铜线键合或铜带键合。

丹佛斯有一个独特的商业模式，其中一个主要支柱是芯片独立性。这意味着我们可以自由选择功率半导体。当然，即使是为相同的功率类设计的，不同制造商的半导体在内部栅极电阻、栅极电荷甚至击穿电压方面也会有所不同。对于许多供应商来说，这可以挑战逆变器的设计。

然而，我们已经彻底评估了差异，并可以在逆变器和驱动板的设计过程中完全支持客户，当涉及到偏爱的半导体制造商的改变或如果需要第二来源的方法。此外，低于7nH的低模块杂散电感允许使用具有不同击穿电压的不同半导体。

模块通过直接拧到冷却器上的夹具安装到冷却器上。托架与底板顶部的可用区域直接接触，如图2所示。有不同的概念，可以施加足够的压力，密封垫片位于每个半桥的订单。

丹佛斯提出了两颗M4螺钉或一颗M5螺钉的概念。在使用铝制冷却器的先进设计中，螺丝总数可以减少到4个，而不是典型的六合一模块设计中的8个。

DCM™平台的冷却概念采用了专利的淋浴电源®3D冷却技术。功率模块的底板有曲折的通道引导冷却剂，并产生强大的涡流效应，冲刷边界层，从而最大限度地提高冷却效率。尽管存在旋流效应，但流动是层流，因此压力降非常低，主要受进出冷却器设计和绕过结构底板的旁路的影响。最终热阻与所选择的功率等级有关，即硅面积和基片材料。客户根据DCM™1000电源模块所需的接口设计冷却器的浴缸。

丹佛斯可以从我们的应用套件中提供所有必要的图纸和参考设计。

在牵引逆变器的早期开发期间，客户将需要一套完整的材料用于设计目的，并在运行期间评估功率模块的性能。因此，丹佛斯提供该模块的数据表、CAD文件、包括冷却器接口的图纸和详细的应用说明。为了使测试快速和简单，我们提供了一个应用套件，包括直流链路电容、驱动板和冷却，提供了在实验室直接测试DCM™1000模块的可能性。